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‘HBM 집중’ SK하이닉스, 1c D램 투자 속도 조절

SK하이닉스가 10nm급 6세대 D램(1c D램) 투자를 늦춤

수요 가시성과 수익성이 높은 HBM 생산에 집중하기 위한 목적임

업계에서는 SK하이닉스가 1c D램 램프업을 HBM4E 양산 시점에야 진행할 것으로 보고 있음

HBM4E부터 1c D램을 코어 다이로 활용하기 때문임. 올해 하반기 양산 예정인 HBM4의 경우 코어 다이로 10nm 급 5세대 D램(1b D램)을 사용함

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